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電子元器件整合供應商

解決方案

作為致力成為最具價值的電子元器件整合供應商，南京南山擁有能為客戶提供全套電子元器件的強大整合能力。公司擁有專門技術團隊，建有電子元器件例行試驗室，能為客戶提供全方位的技術咨詢、器件選型、樣品提供、器件檢測等增值服務。

新潔能新品mos：40V Gen.3 SGT MOSFET系列，功率密度與效率全面升級

發(fā)布時間：2025-11-07 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：923

新潔能MOSFET授權代理商南山電子今天為大家介紹一下新潔能推出的第三代 SGT 產(chǎn)品 ——40V Gen.3 SGT MOSFET 系列，該系列產(chǎn)品采用國際先進屏蔽柵溝槽工藝技術，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的開關特性和導通特性。

 

新潔能 40V Gen.3 SGT MOSFET 系列特征比導通電阻 Rsp 相比上一代產(chǎn)品降低 33%，品質(zhì)因子 FOM 降低 31%，具備更高的電流密度、功率密度和魯棒性。此外，該系列產(chǎn)品通過三維溝槽結構創(chuàng)新與低阻晶圓工藝技術升級，提高全溫度區(qū)間 Ron 穩(wěn)定性，突破傳統(tǒng)導通損耗與散熱的極限平衡。以同面積的 MOS 芯片相比，Gen.3 在 150℃結溫下 Ron 增量較 Gen.1 減少 16%，在保持超低 Ron 的同時，實現(xiàn)溫升效率行業(yè)領先，有效解決高溫場景下的效率衰減難題，助力系統(tǒng)小型化與長期可靠性，重構中低壓功率器件的熱管理能力。

 

產(chǎn)品特點：

  • 超低特征導通電阻 Rsp（導通電阻 Ron * 芯片面積 AA）
  • 極優(yōu)品質(zhì)因子 FOM（導通電阻 Ron * 柵極總電荷 Qg）
  • 更小閾值電壓 Vth Range，利于并聯(lián)應用
  • 更優(yōu)溫升效率，有效解決高溫場景下的效率衰減難題
  • 極高功率密度
  • 更優(yōu)抗振蕩能力
  • 更強魯棒性
  • 更齊全的封裝形式
  • 更齊全的電阻、電流型號規(guī)格

 

NCE世代產(chǎn)品與最優(yōu)競品Rsp性能對比：

NCE世代產(chǎn)品Ron溫升性能對比：

為方便客戶在不同場景下使用，40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品細分為高VTH和低VTH兩個細分方向，并提供不同RDS(ON)檔位，無論是電機驅(qū)動、鋰電池保護、同步整流，還是新能源汽車與AI算力等應用，客戶都能靈活選型。此外，產(chǎn)品封裝也十分豐富，涵蓋DFN5×6、DFN5×6-DSC、sTOLL、TOLL等多種常用形式，能夠支持更靈活的交期和本地化服務。

應用領域：

  • 新能源汽車
  • AI 算力
  • 通信服務器
  • 不間斷電源 UPS
  • 鋰電池保護
  • 電動工具
  • 無人機
  • 適配器

 

命名規(guī)則：

南山電子自2020年起成為新潔能（NCE）的正式授權代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列產(chǎn)品，我們致力于為客戶提供穩(wěn)定可靠的現(xiàn)貨供應與專業(yè)的全方位技術支持。如需獲取最新產(chǎn)品信息，歡迎隨時通過南山半導體官網(wǎng)的在線客服或撥打客服熱線 400-888-5058 與我們聯(lián)系。